半导体材料在超高压下的拓扑绝缘子

　　物理学家网络报告说，来自中国吉林大学和美国华盛顿卡内基研究所的国际研究人员团队合作，将半导体转变为半导体的“拓扑绝缘体（TI）”。

　　

　　加压力。是第一次将材料逐渐“调整”到压力以使其处于拓扑隔离状态。
　　还为寻找用于高级电子应用程序的IT材料开辟了新途径。扑绝缘体内部是绝缘的，可以将电能传导到表面或边缘，并具有独特的电气特性。前，研究人员可以掺杂（添加少量其他元素）或“植物”（在基质上生长样品，选择基质以引入结构系统，并且样品将具有生长过程中的轻微结构变化）。
　　过引入拓扑隔离，这两种方法都可以改变电子行为，并使材料的行为类似于TI材料，但是它们还有其他问题。

　　
　　杂经常带来缺陷，并使材料的性能不均匀。矩阵诱导结构系统产生的TI材料无法连续调整，并且无法控制如何将这些材料从普通绝缘体转换为拓扑绝缘体。Brookhaven国家实验室的国家同步加速器光源（NSLS）实验避免了这些缺点，该研究中使用的半导体是铋，碲和碘的化合物（BiTeI）。
　　究人员向BiTeI样品施加了10 GPa的压力（大约是大气压的100，000倍），电缆并使用NSLS的两种束技术跟踪了其内部结构和电子的变化：X射线衍射和光谱学红外线。析表明，当压力范围为2GPa至8GPa时，BiTeI成为拓扑绝缘体。Brookhaven实验室的研究助理Wu Xiaoxiang Wu说：“扩大拓扑绝缘材料的种类非常困难。 “实验表明，压力是引起拓扑隔离的相态的有效手段。I材料的相变也非常有用。
　　本文转载自
　　电缆 https://www.haoluoyi.com